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Diodo de Silicon Epitaxial para TK2100/3102.

Modelo: HVC-131

Marca: KENWOOD

Precio Lista:

$ 52.20 IVA Incluido

2 dias Hábiles

Caracteristicas principales

    Capacitancia máxima de 0.8 pF en funcionamiento
    Resistencia hacia adelante máxima de 1,0 ohm
    Paquete plano ultrapequeño para montaje en superficie
    Voltaje inverso máximo de 60 V
    Corriente directa de 100 mA y disipación 150 mW
    peso (Kg): 0.01
    Dimensiones: -cm x -cm x -cm

Productos Relacionados

 

• Baja capacitancia.(C=0.8pF max)

• Baja resistencia hacia adelante. (rf=1,0 Ω máx.)

• El paquete plano ultrapequeño (UFP) es adecuado para el diseño de montaje en superficie.

 

Índices absolutos máximos

(Ta = 25°C)

Elemento Símbolo Valor Unidad

Pico de tensión inversa VRM 65 V

Voltaje inverso VR 60 V

Corriente directa IF 100 mA

Disipación de potencia Pd 150 mW

Temperatura de unión Tj 125 °C

Temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +125 °C

Características electricas

(Ta = 25°C)

Elemento Símbolo Mín. Tipo Máx. Unidad Condición de prueba

Corriente inversa IR 0.1 ìA VR = 60V

Tensión directa VF 1,0 V IF = 10 mA

Capacitancia C 0,8 pF VR = 1V, f = 1 MHz

Resistencia directa RF 1,0 Ù IF = 10 mA, f = 100 MHz