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Radiocomunicación Refacciones Misceláneo

Transistor MOSFET Canal-N / 200 V / 18 A / 125 W / TO-220AB / Conmutación de Alta Velocidad

Modelo: IRF-640

Precio Lista:

$ 73.08 IVA Incluido 3 dias Hábiles

Marca: SYSCOM

Caracteristicas principales

    Conmutación de alta velocidad para circuitos de potencia eficientes
    Disipación térmica de 125 W para aplicaciones de alta carga
    Encapsulado TO-220AB compatible con disipadores estándar
    Operación confiable en rangos de 200 V para equipos industriales
    Baja resistencia de canal para reducción de pérdidas energéticas
    Control de carga de 18 A en fuentes de alimentación conmutadas
    peso (Kg): 0.01
    Dimensiones: -cm x 2cm x 1cm

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Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación máxima de potencia de 125 W garantiza estabilidad térmica en condiciones de carga elevada. El encapsulado TO-220AB facilita la instalación mecánica y la conexión a disipadores de calor convencionales, optimizando la gestión térmica en diseños compactos.

Características Generales

  • • Tipo: MOSFET Canal N
  • • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
  • • Corriente continua de drenaje (ID): 18 A
  • • Disipación de potencia máxima (PD): 125 W
  • • Encapsulado: TO-220AB
  • • Aplicación: Conmutación de alta velocidad

Desempeño Eléctrico

  • Voltaje drenaje-fuente: 200 V
  • Corriente de drenaje: 18 A
  • Disipación de potencia: 125 W

Físicas y Térmicas

  • Encapsulado: TO-220AB
  • Montaje: Through-hole con orificio
  • Compatible con disipadores estándar

Contenido del Paquete

  • 1 × Transistor MOSFET IRF640
IRF640

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