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TRANSISTOR FET P/TK2302/3302

Modelo: RQA-0004-PXDQS

Marca: KENWOOD

Precio Lista:

$ 165.88 IVA Incluido

3-5 dias Hábiles

Caracteristicas principales

    Potencia de salida de +29.7 dBm a 520 MHz
    Eficiencia de amplificación de 68% PAE
    Voltaje máximo drenador-fuente de 16 V
    Resistencia máxima en estado de drenador de 3.4 Ohm
    Rango de temperatura máxima de unión de 150 °C
    peso (Kg): 0.01
    Dimensiones: -cm x -cm x -cm

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Silicon N-Channel MOS FET. Features. • High Output Power, High Efficiency. Pout = +29.7 dBm, PAE = 68% (f = 520 MHz).

Type Designator: RQA0004PXDQS

Marking code: PX

Type of RQA0004PXDQS transistor: MOSFET

Type of control channel: N -Channel

Maximum power dissipation (Pd), W: 3

Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 16

Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 5

Maximum drain current |Id|, A: 0.3

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Rise Time of RQA0004PXDQS transistor (tr), nS:

Drain-source Capacitance (Cd), pF: 5

Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 3.4

Package: UPAK